半導体製造プロセスでは、ウェハ表面を清掃し、水分、不純物、汚染物を除去し、ウェハの酸化を防止するために窒素ガスを使用してウェハをブローする。
一般的に、ウエハ表面の清浄度を確保し、酸化を防ぐためには、窒素濃度は99.5%以上を推奨します。高純度の窒素ガスは、空気中の酸素や水分を効果的に除去し、ウエハの汚染や酸化を回避します。
もちろん、特定の窒素濃度要件はプロセスによって異なりますが、実際には、特定のプロセス要件と機器仕様に応じて適切な窒素濃度を決定する必要があります。
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